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              2018-04-09 08:40 来源:范文先生网

                ”人呢,越是到了高处,就越爱惜羽毛,姜丽的事儿,太小,正常途径恐怕还解决不了,找王老实,就是给王落实添麻烦,姜丽不想那样。唐唯也明白这个道理,她了解王落实,没准儿就闹个天翻地覆出来不可,她也心虚了些。

                [6张经、陈悦新,新媒体语境下都会文化遗产的展现与传播[C],2015年北京数字博物馆研讨会,2015年06月14日,中国北京。[7]张经、陈悦新,新媒体语境下都会文化遗产的展现与传播[C],2015年北京数字博物馆研讨会,2015年06月14日,中国北京。[参考文献]王丽丽(哈尔滨商业年夜学根底内情迷信学院,黑龙江哈尔滨150028)周立波的“海派清口”在金融危机影响下的文化市场异军突起,成为一种奇特的文化现象。他的继续火爆满足了上海日(都城经济商业年夜学,北京100070)在中国都会化过程中,培植都会文化是推进都会社会可继续开展的一项重任,今朝,国内许多都会正努力于此,是以研讨中国都会文化竞争力是十分有需求的。本文经由过程把“《中国经济周刊》记者郭芳第一次据说河姆渡,是从中学的教科书里。

                冲杯的时辰,最稀缺的紫水,各种消耗.相对来说,钱真实消耗比照少,重假如长期搜索20Min+导致(这也跟1有关),黑水反而是最富有的.个人私人经历,冲杯前筹备200W金币,紫水末了满.军种成果。因为大家都只能算吊丝(说难听点,叫hardcorefarmer),很少用高级的进攻组合(野猪+法师,气球,石法巫,石法+PEKKA),这会导致你抵达瓶颈的时辰,筹备不敷.关于这个成果,现在曾经被CW处置,多看CW的录像,多看会里经历玩家的录像,先做功课,再实践,会少走许多弯路。纪律性成果。keepyourmindclearly,气力无限的话,打杯就打杯,别盯着他人家的钱不放.跟着部落抵触一次一次的更新,许多老同伙都或多或少的离开了一些,颇感寥寂。

                “费·哈默尼克?”方召有些诧异,没想到会在这里碰到这位天赋音乐家。

              DS18B20单线数字温度计详解声明:文章内容为原始创作,转载请注明今天向大家详细介绍一款比较简单的测温芯片——DS18B20,我们尽量做到“讲解精细化”,让初学者能够在最短时间操作这款芯片。文章针对单只芯片的VDD供电模式(外部供电模式)进行讲解,对寄生电源模式以及多只芯片不做太多说明。文中对每部分的侧重点(也就是新手想快速使用芯片须知道的东西)进行了标注,以方便快速对芯片进行上手使用,但从学习的角度,能够更加清晰全面的了解芯片的相关知识更重要!网上众多资料用DS1820的资料混淆DS18B20资料,两者仅有略微差别!第一部分:芯片特征(可直接跳过)△独特的单线接口仅需一个端口引脚进行通讯△每个器件有唯一的64位的序列号存储在内部存储器中△简单的多点分布式测温应用△无需外部器件△可通过数据线供电。供电范围为到。

              △测温范围为-55~+125℃(-67~+257℉)△在-10~+85℃范围内精确度为±℃△温度计分辨率可以被使用者选择为9~12位△最多在750ms内将温度转换为12位数字△用户可定义的非易失性温度报警设置△报警搜索命令识别并标志超过程序限定温度(温度报警条件)的器件△与DS1822兼容的软件△应用包括温度控制、工业系统、消费品、温度计或任何热感测系统第二部分:DS18B20的封装和引脚定义(只需要知道TO-92封装的三个引脚)DS18B20芯片的常见封装为TO-92,同时还有的封装是SO(DS18B20Z)和μSOP(DS18B20U)形式,图1为DS18B20三种封装的图示及引脚图。file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_图1file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_寄生电源概念:DS18B20可以工作在没有外部电源供电的情况下。当总线处于高电平状态,DQ与上拉电阻连接通过单总线“窃取能量”,并将偷来的能量储存到寄生电源储能电容中,当总线为低电平时释放能量,对器件供电。这种提供能量的形式被称为“寄生电源”,当DS18B20工作在寄生电源模式时,VDD必须接地。作为替代选择,DS18B20同样可以通过VDD引脚连接外部电源供电。第三部分:DS18B20的电路连接方式(可直接跳过,只需要知道外部电源模式怎样接线)(1)寄生电源模式下的单只DS18B20芯片连接图file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_图2(以下四段落内容不懂可以直接跳过,进行大概学习后再回来阅读)寄生电源模式下,单总线和Cpp在大部分操作中能提供充分的满足规定时序和电压的电流给DS18B20。然而,当DS18B20正在执行温度转换或从高速暂存器向EPPROM传送数据时,工作电流可能高达。这个电流可能会引起连接单总线的弱上拉电阻的不可接受的压降,这需要更大的电流,而此时Cpp无法提供。为了保证DS18B20有充足的供电,当进行温度转换或拷贝数据到EEPROM操作时,必须给单总线提供一个强上拉。用漏极开路把I/O直接拉到电源上就可以实现,见图2。在发出温度转换指令[44h]或拷贝暂存器指令[48h]之后,必须在至多10us之内把单总线转换到强上拉,并且在温度转换时序或拷贝数据时序必须一直保持为强上拉状态。当强上拉状态保持时,不允许有其它的动作。单总线通常要求外接一个约Ω的上拉电阻,,这样当总线闲置时,其为高电平。(2)外部电源模式下的单只DS18B20连接图file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_图3对DS18B20供电的另一种传统办法是从VDD引脚接入一个外部电源,见图3。这样做的好处是单总线上不需要强上拉。而且总线不用在温度转换期间总保持高电平。温度高于100℃时,不推荐使用寄生电源,因为DS18B20在这种温度下表现出的漏电流比较大,通讯可能无法进行。在类似这种温度的情况下,强烈推荐使用DS18B20的VDD引脚。对于总线控制器不知道总线上的DS18B20是用寄生电源还是用外部电源的情况,DS18B20预备了一种信号指示电源的使用意图。总线控制器发出一个SkipROM指令[CCh],然后发出读电源指令[B4h],这条指令发出后,控制器发出读时序,寄生电源会将总线拉低,而外部电源会将总线保持为高。如果总线被拉低,总线控制器就会知道需要在温度转换期间对单总线提供强上拉。第四部分:DS18B20内部寄存器解析及工作原理(本部分有个大致了解)通过以上我们知道了DS18B20的引脚及其接线方式就够了。现在我们来看一下DS18B20的内部寄存器。1、DS18B20内部寄存器框图file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_从框图可知,DS18B20主要数据部件:(1)64位只读激光ROM(2)高速暂存器RAM(3)EEPROM(4)存储器控制逻辑(此处网上很多资料翻译为“存储器与控制逻辑”,这个“控制逻辑”我可以理解为译码什么的,这点有糊涂,但“存储器”这个困扰了我好久,直到去查找了英文版的数据手册为“MEMORYCONTROLLOGIC”,这个翻译是不是“存储器控制逻辑”呢!!!!这样理解会稍微顺一些吧,网上翻译为“存储器与控制逻辑的”都没对这个展开说,进行了回避,这样做学问不谨慎吧!!!!我认为此处应该译为“存储器控制逻辑”,但我也不清楚“存储器与控制逻辑”是什么意思,暂理解为译码之类的,本着严谨治学的态度,不对此多说,不能误导读者!!!!希望有了解的不吝赐教!!我们的微信公众号:AutoCodes万分感谢!!!)(5)8位循环冗余校验码发生器(6)配置寄存器第一:64位激光ROM及ROM操作指令file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_每一DS18B20包括一个唯一的64位长的ROM编码,开绐的8位是单线产品系列编码(就是这个家族的编号),接着的48位是唯一的系列号,最后的8位是开始56位的CRC码(循环冗余校验码)。我们之前说过可以实现多只芯片的测温,每只芯片的48位序列号是唯一的,所以单片机可以通过此序列号知道该去操作哪只芯片。本文不涉及多只芯片内容。与DS1820的通信经过一个单线接口,在单线接口情况下,在ROM操作未稳定建立之前不能使用存贮器和控制操作,主机必须首先提供五种ROM操作命令之一:1ReadROM(读ROM)33H此命令允许总线主机读DS18B20的8位产品系列编码,唯一的48位序列号,以及8位的CRC。此命令只能在总线上仅有一个DS18B20的情况下可以使用。如果总线上存在多于一个的从属器件,那么当所有从片企图同时发送时将发生数据冲突的现象(漏极开路会产生线与的结果)。2MatchROM(符合ROM)55H此命令后继以64位的ROM数据序列,允许总线主机对多点总线上特定的DS18B20寻址。只有与64位ROM序列严格相符的DS18B20才能对后继的存贮器操作命令作出响应。所有与64位ROM序列不符的从片将等待复位脉冲。此命令在总线上有单个或多个器件的情况下均可使用。3SearchROM(搜索ROM)F0H当系统开始工作时,总线主机可能不知道单线总线上的器件个数或者不知道其64位ROM编码。搜索ROM命令允许总线控制器用排除法识别总线上的所有从机的64位编码。4SkipROM(跳过ROM)CCH在单点总线系统中,此命令通过允许总线主机不提供64位ROM编码而访问存储器操作来节省时间。如果在总线上存在多于一个的从属器件而且在SkipROM命令之后发出读命令,那么由于多个从片同时发送数据,会在总线上发生数据冲突(漏极开路下拉会产生线与的效果)。5AlarmSearch(告警搜索)ECH此命令的流程与搜索ROM命令相同。但是,仅在最近一次温度测量出现告警的情况下,DS18B20才对此命令作出响应。告警的条件定义为温度高于TH或低于TL。只要DS18B20一上电,告警条件就保持在设置状态,直到另一次温度测量显示出非告警值或者改变TH或TL的设置,使得测量值再一次位于允许的范围之内。贮存在EEPROM内的触发器值用于告警。这些命令对每一器件的64位激光ROM部分进行操作,如果在单线上有许多器件,那么可以挑选出一个特定的器件,并给总线上的主机指示存在多少器件及其类型。上面的ROM操作命令我们多用SkipROM(跳过ROM)。第二:高速暂存RAM及RAM操作指令1、高速暂存RAM在执行完ROM操作命令后,我们需要进行的就是RAM操作命令,我们先来认识一下高速暂存RAM。file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_暂存器由9个字节组成。第1第2两个字节包含测得温度信息,温度传感器(温度灵敏元件)测得的温度值被存储到高速暂存器的这两个字节(温度寄存器)。以12位精度存储温度,最高位为符号位,负温度S=1,正温度S=0。将存储器中的二进制数求补再转换成十进制数乘以精度(、、)就得到被测温度值。如0550H为+85℃,0191H为+℃,FC90H为-55℃,上电初始为+85℃。file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_第3和第4个字节是TH和TL的易失性拷贝(从EEPROM拷贝到高速暂存器这两个字节),在每一次上电复位时被刷新;file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_第5个字节是配置寄存器,如图,用户可按照“温度计精确度配置”表,来修改R1R2的值,来设定DS18B20的精度,上电默认设置R1R0=11(12位精度),配置寄存器的其他为均保留,禁止写入;file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_第6、7、8字节被保留,禁止写入;第9个字节是只读的,包含以上八个字节的CRC码;2、RAM操作指令再看一下RAM操作指令(功能指令)在发送ROM操作指令后,下一步需要进行RAM操作指令。这些指令允许总线控制器读写DS18B20的暂存器,发起温度转换和识别电源模式。DS18B20的功能指令详见下文。CONVERTT[44h](温度转换指令)这条命令用以启动一次温度转换。温度转换指令被执行,产生的温度转换结果数据以2个字节的形式被存储在高速暂存器中,而后DS18B20保持等待状态。如果寄生电源模式下发出该命令后,在温度转换期间(tconv),必须在10us(最多)内给单总线一个强上拉。如果DS18B20以外部电源供电,总线控制器在发出该命令后跟着发出读时序,DS18B20如处于转换中,将在总线上返回0,若温度转换完成,则返回1。寄生电源模式下,总线被强上拉拉高前这样的通讯技术不会被使用。WRITESCRATCHPAD[4Eh](写暂存器指令)这条命令向DS18B20的暂存器写入数据,开始位置在TH寄存器(暂存器的第2个字节),接下来写入TL寄存器(暂存器的第3个字节),最后写入配置寄存器(暂存器的第4个字节)。数据以最低有效位开始传送。上述三个字节的写入必须发生在总线控制器发出复位命令前,否则会中止写入。

              READSCRATCHPAD[BEh](读暂存器指令)这条命令读取暂存器的内容。

              读取将从字节0开始,一只进行下去,知道第9字节(字节8,CRC)读完,如果不想读完所有字节,控制器可以在任何时间发出复位命令来中止读取。

              COPYSCRATCHPAD[48h](拷贝暂存器指令)这条命令把TH,TL和配置寄存器(第2、3、4字节)的内容拷贝到EEPROM中。

              如果使用寄生电源总线控制器必须在发出这条命令的10us内启动强上拉并最少保持10ms。

              RECALLE2[B8H](召回EEPROM指令)这条命令把报警触发器的值(TH和TL)以及配置数据从EEPROM拷回暂存器。

              总线控制器在发出该命令后读时序,DS18B20会输出拷回标识:0标识正在拷回,1标识拷回结束。

              这种拷回操作在DS18B20上电时自动执行,这样器件一上电暂存器里马上就存在有效的数据了。

              READPOWERSUPPLY[B4h](读电源模式指令)总线控制器在这条命令发给DS18B20后发出读时序,若是寄生电源模式,DS18B20将拉低总线,若是外部电源模式,DS18B20将会把总线拉高。

              说明:1.对于寄生电源模式下的DS18B20,在温度转换和拷贝数据到EEPROM期间,必须给单总线一个强上拉。

              总线上在这段时间内不能有其它活动。

              2.总线控制器在任何时刻都可以通过发出复位信号中止数据传输。

              第三:EEPROM这一部分网上很多资源存在一个小的错误,一些资料中,在前面介绍时用“EEPROM”,但是到了下图的标注时,却用了“EEPRAM”,前后矛盾!我们在使用数据手册时要注意查找官方原版,更正版等,确保信息的准确,我们在查找了原版后确认此处应该是“EEPROM”,在此给大家推荐一个网址用于查找数据手册,查找时要多看几份,因为即使是原版也存在错误,会有更正。

              http://:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_中的数据在器件掉电时仍然保存,上电时,数据被载入暂存器,数据也可以通过召回EEPROM命令从暂存器载入EEPROM。

              DS18B20完成一次温度转换后,就拿温度值和存储在TH和TL中的值进行比较,因为这些寄存器都是8位的,所以℃位被忽略不计。

              如果测得的温度高于TH或低于TL,器件内部就会置位一个报警标识。

              每进行一次测温就对这个标识进行一次更新。

              当报警标识置位时,DS1820会对报警搜索命令有反应。

              这样就允许许多DS1820并联在一起同时测温,如果某个地方的温度超过了限定值,报警的器件就会被立即识别出来并读取,而不用读未报警的器件。

              第四:CRC发生器DS1820中有8位CRC存储在64位ROM的最高有效字节中。

              总线控制器可以用64位ROM中的前56位计算出一个CRC值,再用这个和存储在DS1820中的值进行比较,以确定ROM数据是否被总线控制器接收无误。

              CRC计算等式如下:CRC=X^8+X^5+X^4+1DS1820同样用上面的公式产生一个8位CRC值,把这个值提供给总线控制器用来校验传输的数据。

              在任何使用CRC进行数据传输校验的情况下,总线控制器必须用上面的公式计算出一个CRC值,和存储在DS1820的64位ROM中的值或DS1820内部计算出的8位CRC值(当读暂存器时,做为第9个字节读出来)进行比较。

              CRC值的比较以及是否进行下一步操作完全由总线控制器决定。

              当在DS1820中存储的或由其计算的CRC值和总线控制器计算的值不相符时,DS1820内部并没有一个能阻止命令序列进行的电路。

              第五部分:DS18B20处理顺序·经过单线接口访问DS18B20的协议(protocol)如下:·初始化·ROM操作命令·存储器操作命令·处理数据1.初始化DS1820需要严格的协议以确保数据的完整性。

              协议包括几种单线信号类型:复位脉冲、存在脉冲、写0、写1、读0和读1。

              所有这些信号,除存在脉冲外,都是由总线控制器发出的。

              和DS1820间的任何通讯都需要以初始化序列开始。

              初始化序列包括一个由总线控制器发出的复位脉冲和其后由从机发出的存在脉冲。

              总线控制器发出(TX)一个复位脉冲(一个最少保持480μs的低电平信号),然后释放总线,进入接收状态(RX)。

              单线总线由5K上拉电阻拉到高电平。

              探测到I/O引脚上的上升沿后,DS1820等待15~60μs,然后发出存在脉冲(一个60~240μs的低电平信号)。

              存在脉冲让总线控制器知道DS18B20在总线上且已经做好准备。

              file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_初始化过程“复位和存在脉冲”大家注意看图,实粗线是我们的单片机IO口拉低这个引脚,虚粗线是DS18B20拉低这个引脚,细线是单片机和DS18B20释放总线后,依靠上拉电阻的作用把IO口引脚拉上去。

              51单片机释放总线就是给高电平。

              主机总线t0时刻发送一复位脉冲(最短480us低电平信号),接着在t1时刻主机释放总线并进入接受状态,DS18B20在检测到总线的上升沿后,等待15~60us,接着DS18B20在t2时刻发出存在脉冲(持续60~240us的低电平),而后DS18B20主动释放总线,I/O口会被上拉电阻自动拉高。

              详细解释程序:首先,由于DS18B20时序要求非常严格,所以在操作时序的时候,为了防止中断干扰总线时序,先关闭总中断(此处可忽略,未使用中断)。

              然后第一步,拉低DS18B20这个引脚,持续500us;第二步,延时60us;第三步,读取存在脉冲,并且等待存在脉冲结束。

              /*************************************************************函数名称:Init_DS18B20*函数功能:DS18B20初始化函数*输入参数:无*返回参数:检测到DS18B20返回1,未检测到模块返回0*************************************************************/bitInit_DS18B20(){bitDS18B20_flag=1;//初始化成功与否标志DQ=1;//复位前准备delay_10nus(1);//延时10usDQ=0;//发送复位脉冲(DQ拉低)delay_10nus(50);//并延时480~960us(500us)DQ=1;//拉高,释放总线,同时IO口产生的上升沿能被DS18B20所检测到,控制器进入接收状态delay_10nus(6);//等待15~60us,接收到低电平存在脉冲if(DQ)//没接收到,初始化失败DS18B20_flag=0;elseDS18B20_flag=1;//接收到存在脉冲,初始化成功delay_10nus(24);//延时达240us,让DS18B20释放总线DQ=1;returnDS18B20_flag;}2、ROM操作命令在说ROM操作命令之前,先说“写时间隙”和“读时间隙”。

              读/写时序DS18B20的数据读写是通过时序处理位来确认信息交换的。

              写时序由两种写时序:写1时序和写0时序。

              总线控制器通过写1时序写逻辑1到DS18B20,写0时序写逻辑0到DS18B20。

              所有写时序必须最少持续60us,包括两个写周期之间至少1us的恢复时间。

              当总线控制器把数据线从逻辑高电平拉到低电平的时候,写时序开始。

              file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_写时序总线控制器要生产一个写时序,必须把数据线拉到低电平然后释放,在写时序开始后的15us内释放总线。

              当总线被释放的时候,5K的上拉电阻将拉高总线。

              总控制器要生成一个写0时序,必须把数据线拉到低电平并持续保持(至少60us)。

              总线控制器初始化写时序后,DS18B20在一个15us到60us的窗口内对I/O线采样。

              如果线上是高电平,就是写1。

              如果线上是低电平,就是写0。

              通俗点程序解释:当要给DS18B20写入0的时候,单片机直接将引脚拉低,持续时间大于60us小于120us就可以了。

              图上显示的意思是,单片机先拉低15us之后,DS18B20会在从15us到60us之间的时间来读取这一位,DS18B20最早会在15us的时刻读取,典型值是在30us的时刻读取,最多不会超过60us,DS18B20必然读取完毕,所以持续时间超过60us即可。

              当要给DS18B20写入1的时候,单片机先将这个引脚拉低,拉低时间大于1us,然后马上释放总线,即拉高引脚,并且持续时间也要大于60us。

              和写0类似的是,DS18B20会在15us到60us之间来读取这个1。

              /*************************************************************函数名称:DS18B20_Write*函数功能:写时隙*输入参数:一字节数据write_data*返回参数:无*************************************************************/voidDS18B20_Write(ucharwrite_data){uchari=0;for(i=8;ii--){DQ=0;//总线拉低,产生写时间隙DQ=write_data0x01;//最低位放入总线delay_10nus(10);//100usDQ=1;//释放总线write_data}}读时序总线控制器发起读时序时,DS18B20仅被用来传输数据给控制器。

              因此,总线控制器在发出读暂存器指令[BEh]或读电源模式指令[B4H]后必须立刻开始读时序,DS18B20可以提供请求信息。

              除此之外,总线控制器在发出发送温度转换指令[44h]或召回EEPROM指令[B8h]之后读时序,详见DS18B20RAM操作指令。

              file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_所有读时序必须最少60us,包括两个读周期间至少1us的恢复时间。

              当总线控制器把数据线从高电平拉到低电平时,读时序开始,数据线必须至少保持1us,然后总线被释放。

              在总线控制器发出读时序后,DS18B20通过拉高或拉低总线上来传输1或0。

              当传输逻辑0结束后,总线将被释放,通过上拉电阻回到上升沿状态。

              从DS18B20输出的数据在读时序的下降沿出现后15us内有效。

              因此,总线控制器在读时序开始后必须停止把I/O脚驱动为低电平15us,以读取I/O脚状态。

              当要读取DS18B20的数据的时候,我们的单片机首先要拉低这个引脚,并且至少保持1us的时间,然后释放引脚,释放完毕后要尽快读取。

              从拉低这个引脚到读取引脚状态,不能超过15us。

              大家从图可以看出来,主机采样时间,也就是MASTERSAMPLES,是在15us之内必须完成的,读取一个字节数据的程序如下。

              /*************************************************************函数名称:DS18B20_Read*函数功能:读时隙*输入参数:无*返回参数:一字节数据read_data*************************************************************/ucharDS18B20_Read(){uchari=0;ucharread_data=0;for(i=8;ii--){DQ=0;//给脉冲信号read_dataDQ=1;//结束低电平脉冲,等待DS18B20输出数据if(DQ)//如果输出1,则更新read_data;如果输出0,则保持read_data不变,直接移位read_data|=0x80;delay_10nus(10);}return(read_data);}3、RAM操作命令参见“高速暂存RAM及RAM操作指令”一节,对读写0时隙有清楚理解后这部分没有问题!4、数据处理参见“基于51单片机的DS18B20数字温度计16管脚LCD12864液晶显示程序”,程序公布于微信公众号:AutoCodes第六部分:小结我们来总结一下上面的内容第一步:接线第二步:初始化第三步:ROM操作命令ROM操作命令总共5个,实际上是干嘛的呢?就是对64位激光ROM进行操作,通过唯一的序列号可以去查总线上有多少个测温芯片、可以通过筛选对其中一个进行操作、可以在有报警时查找哪只芯片报警、可以读出序列号,当然也可以直接跳过ROM操作(跳过ROM命令),我们对一个DS18B20进行操作,多数使用跳过ROM指令;第三步:RAM操作(功能操作)命令6个,可以发出温度转换指令,发出后芯片就可以转换温度了,温度值就保存在0、1两个字节中;也可以写RAM的2、3、4字节,就是写TH、TL、配置寄存器三个;写入的2、3、4字节可以再拷贝到EEPROM中;也可以从EEPROM拷贝到暂存RAM中;还可以读电源模式(外部供电和寄生电源供电);当然还可以从1字节读到9字节;一条控制操作命令指示DS1820完成一次温度测量。

              测量结果放在DS1820的暂存器里,用一条读暂存器内容的存储器操作命令可以把暂存器中数据读出。

              第四步:数据处理读出16位二进制数据后,需要结合有关数据特性判断温度正负,输出数据等操作。

              详细资料请关注微信公众号:AutoCodes--------------------------------------------------------------------------本人知识掌握水平一般,理解能力一般,表达水平一般,以上内容如有错误还烦请大佬指点!不胜感激!。

                炎天她顶着狠毒的太阳扫去人们留下的渣滓。

                何伯虽然身陷险境,但卦象早已明示他三年内有惊无险,那里到必需求人的地步二来,男儿当自立,当自强方能不息!不想着自强,一味去渴求外力互助,本就是投机壬,这算哪门子道理”“这等怯夫行动,我不屑去做!”他内心声音亮堂明朗而响亮,说得理屈词穷。那凛凛森严,将心底的骄傲头一次毫不掩饰地展露出来,矛头残暴!任是杂念怨念,一应恶根。情魔之毒,在这道与理的力气之下竟也仿佛被震慑,气势年夜减。似乎被压制到极限,随后而来的反补也愈加猛烈。

                增强软件狗加密效果的措施一、软件加密周全咱们说,从软件入手的解密措施许多,针对这种状况,人们也研制出了许多行之有用的防解密措施,在次,咱们把一些常用的防止软件跟踪解密的措施列于下面:1、算计法式实行时间,并判别法式的实行时间能否过长;2、关键法式部门遏止键盘中止,并检查键盘中止能否被开放;3、关键法式部门遏止表现输入跟打印输入;4、在软件中多做几回软件狗检查;5、把法式的重要部门加以编码加密,在运行时才解密;6、改动断点中止效果;7、应用除零中止或溢出中止能否有法式跟踪;8、应用时钟中止检查能否有法式跟踪;9、在法式中挪用INT7;10、法式不要写得很构造化,要多一些“空话”;11、若干种加密措施综合应用;12、用黄玫瑰软件制作组出品的BITSHELL作外层防护;............==================================================[附:外壳反跟踪反破译法式BITSHELL简介一、系统简介BITSHELL是一套可反跟踪反破译的软件加密系统,重要用语保护软件开拓者的合理权柄,防止未经授权的复制、算法解读及目的码反汇编。

                两个人私人都捡着话题闲谈,因为他们都知道相互内心堵得慌。所以都可以的挑一些轻松点的话题说,虽然即便不去想前院那些尸体。前面的院子规模小一些,不外看起来安静不少。据说这个院子是那位老汉人栖息的,安争却是见过谁人老汉人一面,没什么印象。

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